摘要：
a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池由于其高的转换效率(源于高的开路电压)和相对低的制造成本持续引起学术界和光伏企业的广泛关注,并且目前已经有厂家实现了量产.本文中,作者主要描述了异质结太阳电池两方面的研发工作:1)调整n型单晶硅抛光、制绒和湿化学清洗工艺,改善了硅衬底表面的形貌,提高了其清洁度,最终获得了平均尺寸在4～6μm的金字塔绒面.2)采用VHF-PECVD的方法制备了高质量的本征a-Si∶H薄膜,薄膜微结构因子(R*)为15.2％,氢含量(CH)11.8％,钝化后硅片少子寿命超过2ms.工艺整合优化后,在238.95mm2的n型太阳能级单晶硅衬底上,获得了全面积转换效率为17.6％的a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池.
关键词：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
