摘要：
硅纳米线是一种具有优异的物理、化学以及光学性能的半导体材料,其独特的纳米结构及所具备的各项优异性能为太阳能电池的进一步发展带来了新的希望.本文通过沉积银作为催化剂在单晶硅上制备硅纳米线阵列,其形成过程主要分为局部氧化以及在银颗粒催化作用下硅的选择性刻蚀.在硅纳米线的制备过程中,通过改变不同的参数,研究其对硅纳米线形貌及其光学性能的影响;通过优化制备工艺,获得了整齐有序、具有优异光学性能的硅纳米线阵列.当硅纳米线深度达到2μm时,在400～OOOnm范围内,其反射率可以小于3％;并且,随着刻蚀时间的增长,硅纳米线长度的进一步增加,其反射率也会进一步的降低.
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