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可调控带隙的Cu2Zn(GexSn1-x)Se4纳米晶的合成
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本文采用热注入法制备了不同Ge元素掺杂比例的CZTGSe纳米晶,纳米晶的尺寸在1020 nm之间.采用X射线衍射仪(XRD、投射电子显微镜(TEM)及UV-Vis光谱分析仪对纳米晶的结构、形貌、成分及光学性能等进行了分析研究.发现Ge元素掺杂量为0.7时,CZTGSe的禁带宽度为1.52 eV,十分接近薄膜太阳能电池材料理想的禁带宽度.
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来源 ：
年份： 2013
页码： 179-179
语种： 中文
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材料与制造学部 材料科学与工程学院
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