文献推荐换一换
纳米金属氧化物制备多晶Cu(In,Ga)Se_2薄膜反应过程及其性能研究
以铜铟镓纳米金属氧化物为起始原料,采用化学还原+固体硒源后硒化的方法在不锈钢表面制备出多晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。采用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、能谱...
文献获取碳纳米管薄膜的制备及其场发射性能研究
碳纳米管具有独特的结构和良好的导电,热稳定,化学稳定性,在真空微电子器件中具有广泛的应用前景.利用碳纳米管薄膜作为场发射冷阴极的应用研究已成为场发射研究的热...
P-MBE方法在硅衬底上制备的氧化锌薄膜及纳米管的结构和光学性质的研究
氧化锌作为一种重要的具有六方结构的 II-IV 族宽带隙(3.3eV)半 导体材料,由于具有较高的激子束缚能高(60meV),在室温下容易获得 强的激子发射,被认为是制作紫外半导...
ZnO缓冲层厚度对GaN纳米薄膜的场发射性能影响
为了获取具有质量良好的场发射GaN纳米薄膜,利用激光脉冲沉积系统(PLD)在衬底温度为300℃的Si衬底上分别沉积了38nm,50nm,64nm和130nm的ZnO缓冲层,随后在缓冲层之上(...
电化学方法制备ZnO纳米颗粒掺杂类金刚石薄膜及其场发射性能研究
采用液相电化学沉积技术制备了ZnO纳米颗粒掺杂的类金刚石(DLC)薄膜,研究了ZnO纳米颗粒掺杂对DLC薄膜场发射性能的影响.利用x射线光电子能谱、透射电子显微镜、Raman...
电化学方法制备ZnO纳米颗粒掺杂类金刚石薄膜及其场发射性能研究
采用液相电化学沉积技术制备了ZnO纳米颗粒掺杂的类金刚石(DLC)薄膜,研究了ZnO纳米颗粒掺杂对DLC薄膜场发射性能的影响.利用x射线光电子能谱,透射电子显微镜,Raman光...
电化学方法制备ZnO纳米颗粒掺杂类金刚石薄膜及其场发射性能研究
The formation of ZnO nanoparticles embedded in diamond-like carbon (DLC) thin film, deposited by electrochemical technique without post-processing, is o...
石墨烯和碳纳米管薄膜的FED阴极制备及其场发射性能研究
在碳基材料当中,碳纳米管、石墨烯阴极材料是目前被认为最有希望的场发射体。碳纳米管具有优异的强度和韧性、良好的导电性能、较强的化学稳定性以及较低的饱和蒸汽...
Al掺杂ZnO纳米线制备及其场发射性能研究
场致发射显示器(FED)是一种新型的平板显示器件,具有功耗低、高亮度、高分辨率、工作环境适应性好等优点。场发射阴极材料(FEA)是 FED技术研究的重点,其场发射性能直...
纳米CuO/CNT复合结构的制备及其场发射性能研究
利用水热法在Cu片上制备 Cu(OH)2纳米线阵列,将单壁碳纳米管(SWCNTs)涂覆在其表面并进行低温热处理,获得一维Cu O/CNTs复合纳米结构体系.利用场发射扫描电子显微镜和...
