：晶须是从镀层表面或焊点处生长出的细丝状晶体,其生长可使相邻导体间发生短路(断路)进而造成电子设备的失效或损坏[1]。虽然SnPb　钎料中的Pb　元素可有效抑制晶须的生长,但随着欧盟RoHS　指令的出台,Pb　元素在电子产品中的使用终将被完全取代。因此,Sn　基无铅封钎料的晶须抑制问题仍然亟待解决。在众多的晶须抑制方法中,颗粒增强以其操作方便、工序简单、成本低廉等优点而广泛应用于工业生产中。但现有的添加颗粒抑制效果普遍不如Pb　元素且成本较高。此外,绝大多数添加颗粒为金属,可与钎料基体或基材结合生成金属间化合物(IMCs)并在老化条件下随之长大[2]。为解决上述问题,本实验引入一种具有纳米结构的新型有机-无机杂化笼形硅氧烷齐聚物Polyhedral　Oligomeric　Silsesquioxane(POSS)作为添加元素。之前的研究表明,POSS　颗粒可有效提高Sn　基无铅钎料的抗电迁移、抗蠕变、抗热疲劳性能及显微硬度,但目前鲜有关于其晶须抑制方面的研究[3]。因此,本研究采用POSS　颗粒制备Sn　基无铅复合钎料,意在不降低钎料固有性能的前提下探索POSS　颗粒对晶须生长的作用,完善对POSS　颗粒增强Sn　基无铅钎料可靠性体系的评价。