VO2由于在低温(341　K)下具有金属绝缘体相变使其具有优异的热致相变性能,因此可以作为光信息存储材料,开关材料,光致或电致变色材料,可以应用于传感器敏感元件,智能温控视窗等领域.而外加的应力会改变相变温度,这就对VO2薄膜的应用造成了一定影响.VO2纳米线的出现不仅带来了更好的力学性能,更将复杂的二维应力化为简单地一维应力.本文利用气体输运法制备V02纳米线，并利用透射电子显微镜(TEM),扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)寸其结构与性能进行了表征。分析认为，V02纳米线与其块体材料一样在341　K附近发生相变井存在磁滞区间，而多次相变对其结构的影响以及应力对相变的影响则需进一步的实验探究。