摘要：
相变存储器是利用相变材料(如Ge2Sb2Te5)在晶态与非晶态时差距明显的电阻值实现数据存储,并利用两相之间迅速可逆的相变过程来实现＂0＂＂1＂转变.尽管人们对于相变过程进行了大量研究,至今为止,对于相变材料的相变机制仍然存在争议并且需要更深入的理解.然而由于在应用中相变材料处于器件内部,在实验上实现电激发下材料的结构变化的观察是非常苦难的.利用JEOL 2010F透射电镜和Nanofactory的电学性能测试样品杆,作者对非晶态的Ge2Sb2Te5薄膜施加一个外加电场,并在施加电场同时实现对其原子机制的观察和电学性能变化的测量.
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年份： 2013
页码： 10-11
语种： 中文
