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[会议论文]
Si/SiGe微波异质结晶体管的等效电路模型
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用实验测量方法提取了Si/SiGe多发射极微波异质结晶体管(HBT)的直流GP模型SPICE参数,模拟了器件的输出特性曲线,分析了器件在小注入与大注入直流工作时的特性差异；用H参数法建立了器件的交流等效电路模型,模拟了器件的散射参数S21和电流增益截止频率fT,模拟结果与实际测量的结果相吻合,在此基础上比较了HBT与BJT器件等效电路模型的差异。
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来源 ：
年份： 2013
页码： 1219-1222
语种： 中文
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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