摘要：
稀土锰氧化物因为存在庞磁电阻效应而成为凝聚态的研究热点,本文采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在LaAlO_3(100)衬底上生长电子掺杂的La_(0.95)Sb_(0.05)MnO_3锰氧化物薄膜。用传统固态反应法制备的陶瓷材料作为靶材,以单晶(100) LaAlO_3为衬底,本底真空为2.5×10~(-4)Pa,激光光源为KrF:248nm准分子激光器,基片温度分别选取680,750,800℃沉积薄膜,XRD结果表明沉积得到均是外延单向薄膜。AFM形貌图如图1所示,750℃的衬底温度下,薄膜取向性好,表面大部分区域粗糙度很低,当沉积温度升高到800℃时,晶粒长大,薄膜表面有较明显的缺陷,粗糙...
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