氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜是一种优异的光电功能材料,具有光吸收率高、电阻温度系数大、可大面积低温成膜、易掺杂、基片种类不限、与硅半导体工艺兼容等突出优点,在太阳能电池、薄膜晶体管、液晶显示和光电探测等领域有着广泛的应用。a-Si:H薄膜在研究和应用过程中,其光学参数的重要性无法忽视,光学性能的测量和分析至关重要。椭圆偏振光谱测量是一种通过分析偏振光在待测薄膜样品表面反射前后的偏振态的改变来获得薄膜材料的光学常数和厚度的方法,具有非接触性、高精度、方便快捷等优点。本文中我们利用磁控溅射制备了不同工作气压下的a-Si:H薄膜,采用MM-16椭圆偏振光谱仪采用反射法测量了薄膜的厚度、折射率和消光...