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[会议论文]
N型非晶硅氧薄膜制备及其光电特性研究
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为获得低折射率和高电导率要求的中间层薄膜,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术, 在低氢气流量下制备了n 型非晶硅氧薄膜.本文研究了CO2/SiH4气体流量比、硅烷浓度、沉积功率和PH3 掺杂浓度等工艺参数对硅氧薄膜的沉积速率,折射率,电导率,晶化率以及光学带隙的影响,并获得折射率为1.99, 电导率大于10-6S/cm 和带隙大于2.6eV 的非晶硅氧薄膜.
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年份： 2012
页码： 1-6
语种： 中文
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