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谷立新 (谷立新.) | 刘显强 (刘显强.) | 张斌 (张斌.) | 韩晓东 (韩晓东.) (Scholars:韩晓东) | 张泽 (张泽.)

Abstract:

  本文利用原位透射电子显微学技术,对Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程进行了原位研究,揭示了GeSbTe合金成分的改变对数据读写性能影响。

Keyword:

原位电子显微学技术 结构特征 半导体薄膜 晶体生长

Author Community:

  • [ 1 ] [谷立新]北京工业大学固体微结构与性能研究所
  • [ 2 ] [刘显强]北京工业大学固体微结构与性能研究所
  • [ 3 ] [张斌]北京工业大学固体微结构与性能研究所
  • [ 4 ] [韩晓东]北京工业大学固体微结构与性能研究所
  • [ 5 ] [张泽]浙江大学电镜中心

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Year: 2012

Page: 38-38

Language: Chinese

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