通过控制溅射反应气氛中的氧分压分别在单晶硅及石英基底上制备出了半导体氧化钼薄膜,并对制备的薄膜进行了后续高温退火热处理.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、UV光谱和傅立叶-红外光谱(FT-IR)等分析表征手段系统研究了不同氧分压对沉积薄膜的结构、化学成分及其光学性能的影响.XRD研究表明薄膜结晶性能良好,主要沿(0k0)取向择优生长;0.1Pa氧分压下的薄膜为Mo/MoO3两相共存态,随着氧分压的增加薄膜趋向于正常化学计量比氧化钼,0.75Pa氧分压下的薄膜结晶性能最好,IR光谱表征吸收峰的研究也说明薄膜为正常化学计量比的单一相三氧化钼i　SEM研究表明薄膜表面平整度高、颗粒分布均匀;薄膜平均光学透过率随着氧分压的增加而增大,具有良好的光学性能,近红外波段的光学透过率高达90％以上,360～1400nm波段的平均光学透过率在74％～86％之间,光学带隙介于2.995～3.123eV.