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[会议论文]
立方氮化硼薄膜的掺杂及金属半导体接触研究
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＜正＞立方氮化硼(c-BN)是人工合成的Ⅲ-Ⅴ族闪锌矿结构化合物半导体材料,它具有类似于甚至优于金刚石的优良的物理、化学性质而成为人们研究的热点。例如:c-BN的禁带宽度很大(6～6.4eV),可实现n型和p型掺杂(而金刚石的n型掺杂极其困难)[1],因此可用于制备高温、高频、大功率微电子器件和短波光电子器件[2]。然而,制作这些器件
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来源 ：
年份： 2011
语种： 中文
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