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作者:

崔敏 (崔敏.) | 邓金祥 (邓金祥.) (学者:邓金祥) | 张维佳 (张维佳.)

摘要:

锡掺杂氧化铟(ITO,In203:Sn)薄膜是一种n型半导体材料,具有较宽的带隙(3.5-4.3eV),较高的载流子密度(1021cm-3)。另外,ITO薄膜还具有许多其它优异的物理、化学性能,例如高的可见光透过率和电导率,与大部分衬底具有良好的附着性,较强的硬度以及良好的抗酸、碱及有机溶剂能力。因此,ITO薄膜被广泛应用于各种光电器件中,如LCDs、太阳能电池、能量转换窗口、固态传感器和CRTs。ITO薄膜由于其高的可见光透过率和电导率常被用作薄膜太阳电池的减反射层和电极。作电极时需要高的电导率,作减反射层时需要高的透过率,但是,其高的电导率总是伴随着强的光吸收和膜的不透明,很难同时达到电导...

关键词:

ITO薄膜 太阳电池 工艺参数 直流磁控溅射

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学应用数理学院
  • [ 2 ] 北京航空航天大学物理与核能工程学院凝聚态物理与材料物理研究中心

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年份: 2011

语种: 中文

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