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[会议论文]
偏振拉曼散射研究ZnO单晶纳米压痕区内的晶格畸变分布
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＜正＞宽禁带半导体材料ZnO在室温下有着60meV的激子结合能,使得它在新型紫外光电器件上有潜在的应用前景。获得稳定p-型导电性能的ZnO材料,是其光电器件能投入工业应用的关键,因而受到关注。为了制备出优质ZnO基的光电设备需要对其力学性能进行细致的了解。纳米压痕测量技术作为一种非常有效的研究材料力学
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年份： 2011
语种： 中文
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