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[会议论文]
硅集成稳压器的总剂量效应研究
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本文对集成稳压器的总剂量效应的失效模式和失效机理进行了简单分析，器件在总剂量辐照之后，基准电压下降明显导致输出稳压失效，引起集成稳压器失效的模式还有误差放大器的动态输出范围下降。分析失效机理发现，辐射引起在晶体管基射结上方隔离钝化层SiO2中产生氧化物陷阱电荷和界面态，起到复合中心作用，增强表面复合速率。导致晶体管基极电流增加，电流增益减小。
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会议名称
2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会
主办单位
中国电子学会;;广东省电子学会;;广东省仪器仪表学会
会议地点
苏州
会议时间
2011-11-01
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WF:confartical7601748
语言
中文
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来源 ：
年份： 2011
页码： 51-54
语种： 中文
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