采用脉冲激光沉积(PLD)在不同靶基距或衬底温度下制备了两个系列氮化铝(AlN)薄膜。其场发射性能测试显示,两个系列的AlN薄膜场发射性能随着靶基距的增大或衬底温度的升高都是先提高后降低。靶基距为5.5cm和衬底温度为850℃的条件下制备的两个样品场发射性能最好。靶基距的大小和衬底温度的高低共同决定了吸附在衬底上的靶材粒子的迁移率,影响薄膜的表面形貌和缺陷、致密性等微观结构,从而影响薄膜的场发射性能。研究表明,若采用脉冲激光沉积AlN薄膜,可通过改变工艺参数适当的调节靶材粒子在衬底上迁移的能力,从而获取更适合场发射的表面形貌和微观结构。