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[会议论文]
真空蒸发法制备C_(60)薄膜
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采用真空蒸镀法在Si衬底上制备C_(60)薄膜,利用台阶仪测试薄膜的厚度、分析了薄膜沉积速率,用小角X射线衍射仪(LA-XRD)测试薄膜的微结构,并用原子力显微镜(AFM)测试其表面形貌和均方根粗糙度(RMS)。X射线衍射仪分析发现制备的C_(60)薄膜沿(333)方向晶格呈择优取向排列。原子力显微镜分析显示蒸发源温度450℃时制备的C_(60)薄膜表面平整致密,颗粒均匀,表面孔洞较少,均方根粗糙度较小。
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来源 ：
年份： 2010
语种： 中文
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