KTP晶体是一种具有优异的频率转换、电光和声光性能的非线性光学晶体。但是高温溶液生长的KTP晶体在电光应用中的一个明显缺陷是电导率偏高,其主要原因之一是高温溶液生长时温度高(与水热法相比)造成氧缺失带来的O2-空位,并由此产生K+空位,它们在电场作用下参与导电,另一个原因是KTP晶体结构本身存在c向K+通道,参与导电[1]。针对后者,我们通过掺半径较K+大的离子Cs+以堵塞K+通道,取得了较好的效果[2]。而空位的问题我们试图通过掺价态低于Ti(IV)的Al3+离子以减少晶体中的空位,从而降低电导率。