高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[会议论文]
AlGaN/GaN HEMT不同结构的直流及温度特性仿真
作者：
摘要：
采用ISE仿真软件对AlGaN/GaN HEMT不同纵向结构的直流特性进行仿真,得到常规、倒置和双异质结结构的最大跨导分别为369、261、495 mS/mm,最大漏源电流分别为681.21、467.56、1 004.6 mA/mm,其特性随温度的升高而下降。
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2005，第十一届全国可靠性物理学术讨论会
2008，半导体技术
2017，半导体技术
2006，半导体技术
来源 ：
年份： 2008
语种： 中文
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 3
归属院系：
信息学部
全文获取
外部链接：
