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张小玲 (张小玲.) | 李菲 (李菲.) | 谢雪松 (谢雪松.) | 吕长志 (吕长志.) | 李志国 (李志国.)

摘要:

采用ISE仿真软件对AlGaN/GaN HEMT不同纵向结构的直流特性进行仿真,得到常规、倒置和双异质结结构的最大跨导分别为369、261、495 mS/mm,最大漏源电流分别为681.21、467.56、1 004.6 mA/mm,其特性随温度的升高而下降。

关键词:

AlGaN/GaN HEMT 仿真

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学电子信息与控制工程学院

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来源 :

年份: 2008

语种: 中文

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