用氢等离子体(H_2　Plasma)对非晶氮化铝(a-AlN)薄膜进行处理并研究了其场发射性能。实验表明:等离子体处理后薄膜表面粗糙度增大,但是场发射性能降低。当电场强度为70V/μm时,场发射电流密度从70.7μA/cm~2降到0.4μA/cm~2。氢等离子体处理能够降低非晶薄膜缺陷密度,导致薄膜功函数增加,自然就降低了　a-AIN　薄膜的场发射性能。场发射　F-N　曲线在高场和低场时的曲率不一样。在外加电场作用下,场增强因子β不同的颗粒参与发射的时间不一致,　因此总的有效场增强因子β在高场和低场时不同。