本文提出了一种有效的方法—采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe　HBT的热稳定性,并将传统的非均匀条间距技术与分段结构设计相结合,对功率SiGe　HBT进行了优化设计。通过三维热模拟,我们得到了非均匀段间距设计(符合线性规律)的分段结构与均匀间距的发射极指完整结构、分段结构的温度分布对比曲线。结果表明,优化设计后的分段结构功率HBT的最高结温和有源区表面高低温差都明显低于均匀设计的分段结构,实现了芯片表面各方向的温度均匀分布,有效地提升了器件的热稳定性。