本文对多发射极条(指)微波功率GeSi　HBT进行了设计、制造,并对电流处理能力进行了研究。实验结果表明,对20-80指GeSi　HBT,发射极单位长度的电流密度I_0在1.67-1.06A/cm之间变化.随发射极条数的增加,I_0逐渐减少,电流处理能力减弱.分析认为这是由于发射极条之间的热耦合导致有源区的温度非均匀分布.我们所得到的I_0值,远大于Si　BJT的I_0(典型值为0.4A/cm),和所报道的GeSi　HBT的0.79A/cm,证明多指GeSi　HBT具有大的电流处理能力。