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[会议论文]
VLSI/ULSI中金属化系统的蓄水池效应
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对于 VLSI/ULSI 中 W 通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大．本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验；研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线电迁移寿命的影响和电迁徙与应力迁徙(SM)的关系；研究结果表明,蓄水池面积的大小和位置是影响电迁移寿命的主要因素．
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年份： 2007
语种： 中文
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