摘要:
本文主要研究了由 SiON 和 Ta 构成的双层扩散阻挡层的阻挡性能、对铜薄膜晶体学取向的影响和应力分布状况。用于二次离子质谱仪(SIMS)分析的样品工艺见表一。用于 X 射线衍射仪 (XRD)和电子薄膜应力测试仪分析的样品分别具有5nm 厚 Ta 阻挡层和 SiON 与 Ta 双层阻挡层,且均在阻挡层上电镀0.5μm 厚铜膜。采用 SIMS 测试了双层阻挡层样品二次离子电流强度随时间变化的曲线(见图1),结果显示双层阻挡层样品中,5nm 厚 Ta 层牢固的将 Cu 附着于 Si 基片上, 并对 Cu 向 SiO_2的扩散具有一定的阻挡效果,而 SiON 层则有效的阻止了 Cu 的扩散。对 T...
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年份: 2007
语种: 中文