摘要：
利用射频溅射系统在 p 型 Si(100)衬底上制备氮化硼薄膜．对其进行600～1000℃的常压下 N_2保护退火．通过傅立叶变换红外谱(FTIR)分析,发现 hBN-cBN-hBN 的可逆相变．通过不同温度退火后立方相横光学振动模式峰位的移动,计算了氮化硼薄膜中残余应力的变化．发现沉积后退火很好地解决了高立方相氮化硼薄膜应力释放的问题,可提高立方氮化硼薄膜在硅衬底上的粘附性．并且探索性地讨论在退火过程中 c-BN 成核、生长与薄膜中应力变化的关系．
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