EBSD　技术是对材料微取向信息进行表征的一种重要测试和分析手段。采用该技术,对大冷轧变形量、再结晶退火后的　Ni-W　复合基带的表面和截面微取向进行了表征,对其晶粒取向、晶界特征等信息进行采集和分析。经　Orientation　Imaging　Microscopy~(TM)(OIM)4．6软件分析,结果表明该　Ni　基复合基带表面10°以内立方织构品粒百分含量为97．9％；微取向差在10°以内的小角度品界的含量达到85．4％。此外,通过对具有多层结构的复合基带截面微取向图的分析表明,　内外层不同材料再结晶温度的差异是保证复合基带表面能够形成锐利立方织构的主要原因。