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高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制

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作者:

王承栋 (王承栋.) | 杨集 (杨集.) | 冯士维 (冯士维.) (学者:冯士维) | 展开

摘要:

分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计了 InGaAs/InP PIN 探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和 p-InP 区欧姆接触电极图形的设计,以达到提高响应度的目的。采用 MOCVD 技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度。结果显示,器件的光谱响应范围为1000~1600nm,在1500nm 激光的辐照下,5V 反向偏压时器件的响应度可达0.95 A/W 以上。

关键词:

铟镓砷/磷化铟 探测器 光响应度

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学电子信息与控制工程学院
  • [ 2 ] 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室

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来源 :

年份: 2007

语种: 中文

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