介绍了常规　AlGaInP　红光　LED　的研制和产业化过程中所遇到的问题,以及国内外提出的主要解决途径。提出了独特的解决方案:外延生长与芯片技术相结合,制备了特殊的电流输运增透窗口层,同时解决了红光　LED　存在的2个主要问题:第一,从　P-型电极注入的电流形成横向输运,电极正下方无电流,不发光,这样一来,无论芯片大小,注入电流产生的光子数一样,所以可获得小尺寸芯片下的高性能输出,产量高,产值高,而且减少了热的产生,器件热特性变好,寿命长:第二,电流输运增透窗口层的材料折射率居于半导体材料与空气折射率之间,使得光出射的临界角变大,光提取效率提高。据此方案所制备的红光　LED　器件在20　mA...