高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[会议论文]
氮气含量对沉积BN薄膜的影响
作者：
摘要：
＜正＞立方氮化硼(c-BN)是一种物理、化学性能非常优越的宽带隙半导体材料,在高频、大功率、抗辐射光电子器件方面具备广泛的应用前景。本文用射频磁控溅射系统,在电阻率为2～4Ω·cm 的 n 型 Si(100)衬底上制备 c-BN 薄膜,靶材 h-BN 热压靶。薄膜的成分由傅立叶变换红外吸收谱标识。
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
来源 ：
年份： 2007
语种： 中文
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 1
归属院系：
理学部
材料与制造学部 材料科学与工程学院
全文获取
外部链接：
