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[会议论文]
三步法制备立方氮化硼薄膜
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＜正＞立方氮化硼(c-BN)是一种物理,化学、机械性能非常优异的宽带隙半导体材料。然而,c-BN 薄膜生长条件十分苛刻,制备参数窗口十分狭窄,因此很难高重复性制备高质量本征 c-BN 薄膜。我们对 BN 系统中各相向立方相的相变作了初步的讨论,确定在c-BN 薄膜成核与早期生长过程中,
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来源 ：
年份： 2007
语种： 中文
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