摘要：
用射频溅射系统制备了c-BN薄膜,并且用离子注入的方法在c-BN薄膜中注入Be,制备了p-c-BN／p- Si薄膜同型异质结,并研究了异质结的电学性质。注入 Be的c-BN薄膜是采用传统的13．56MHz射频溅射系统, 用h-BN(纯度为99．8％)为靶材,在p型Si(100)衬底上沉积得到的。离子注入时,注入离子的能量为100keV,注入剂量为1015ions／cm2。薄膜注入后经800℃退火后,在异质结表面蒸镀了2mm×5mm铝电极。测量了其电学性质。实验结果表明:离子注入掺杂后制备的p-c-BN／p-Si 同型异质结的I-V曲线具有明显的整流特性,其正向导电特性的拟合结果表明,异质结的电...
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