RF射频溅射法制备c-BN薄膜,使用离子注入法将Be注入c-BN薄膜中进行掺杂,测量了掺杂前后c-BN薄膜的表面电阻率,并计算掺杂后c-BN薄膜激活能。c-BN薄膜利用射频溅射两步法制备而成,离子注入能量为190kev,注入剂量在1015-1016ions／cm2　之间,薄膜在离子注入后经400-800℃退火,并在薄膜表面蒸镀2mm×5mm的铝电极,以测量其电学特性。实验结果表明:离子注入掺杂后的c-BN薄膜表面电阻率随着退火温度的升高和Be离子注入剂量的增大逐渐降低,薄膜表面电阻率比掺杂前下降了3-4个数量级。经计算得到掺杂后c-BN薄膜不同温度范围内激活能分别为0.54eV和0.32eV。