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摘要:

用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运动情况均对非晶硅材料的稳定性起着十分重要的作用,另一方面,在非晶硅的基体上生长少量微晶硅,可提高薄膜的稳定性。最终希望能通过两者的结合来探讨如何制备高光敏性和低光致衰退的非晶硅薄膜。

关键词:

a-Si:H 光衰退稳定性 微晶硅 氢运动

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室
  • [ 2 ] 兰州大学物理科学与工程学院

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年份: 2006

语种: 中文

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