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[会议论文]
弯曲生长SiC纳米线的TEM表征
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＜正＞由于纳米线/管/棒在力学、电学、光学等方面巨大的潜在应用价值,近年来人们投入了越来越多的兴趣来合成和表征各种一维纳米材料。其中立方结构的β-SiC 纳米线由于其优越的物理、力学性能 (如高的硬度、强度、高的抗氧化和腐蚀性能、低的密度和热膨胀系数和高的热转换能力)受到广泛的关注,此外,β-SiC 是一种宽带半导体材料,在高温、高
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年份： 2006
语种： 中文
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