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摘要:

本文利用透射电子显微镜(TEM)研究了碳热还原反应生成的立方碳化硅(β-SiC)纳米线,结果表明在碳化硅纳米线中沿[111]生长方向存在大量的一维无序结构(ODD),并与3C结构交替生长。我们通过选区电子衍射图及高分辨照片,对ODD结构进行了分析,发现了两种无序结构,一种为完全无序结构,另一种为小有序体的无序堆垛结构,并分析了这种小有序体的结构。

关键词:

SiC纳米线 一维无序结构 选区电子衍射 高分辨

作者机构:

  • [ 1 ] 中国科学院山西煤化所
  • [ 2 ] 北京工业大学固体微结构研究所

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来源 :

年份: 2005

语种: 中文

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