＜正＞电子背散射衍射(EBSD)技术被广泛用于晶体取向分析。其主要功能是通过收集和标定EBSD菊池衍射花样,进行晶粒取向测量和物相鉴定。由于应变晶体使衍射信息降低、菊池花样质量下降,可通过测量EBSD菊池带的变化来评价弹性和塑性应变。EBSD在分析晶体应变方面具有很高的空间分辨率(几十纳米)和应变敏感性(0．01％)。Troost等人通过对比Si衬底和Si1-xGex外延层的菊池带宽度的变化,评价了外延层的弹性应变。Wilkinson等人通过增大样品与荧屏之间的距离,及利用交叉相关函数,分析了SiGe／Si结构中的弹性应变和小角度晶格转角。菊池衍射花样的图像质量也可以用来表征局域应变场。