摘要：
＜正＞采用电子背散射衍射(EBSD)技术,对微电子器件VLSI的Al互连线和ULSI的Cu互连线的显微结构进行了分析和对比。Al和Cu互连线的晶粒结构和晶粒取向的形成和发展, 与互连线的制备工艺密切相关,并直接影响着金属化系统的抗电迁徙和应力迁徙的能力。 Al互连线采用传统的反应离子刻蚀工艺(reactive ion etching,RIE)制备,包括在P型 (100)硅衬底上热生长SiO2膜,通过PECVD法沉积W膜和Al膜、光刻成2μm宽、500μm
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