我们用热丝辅助MW　ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜。通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律。结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105。找到最佳辅助热丝温度为1450℃。通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6-1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比。