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荣延栋 (荣延栋.) | 阴生毅 (阴生毅.) | 胡跃辉 (胡跃辉.) | 吴越颖 (吴越颖.) | 朱秀红 (朱秀红.) | 周怀恩 (周怀恩.) | 张文理 (张文理.) | 邓金祥 (邓金祥.) (学者:邓金祥) | 陈光华 (陈光华.)

摘要:

采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜。应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导。通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移。

关键词:

非晶硅 光致衰退 红外

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室

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年份: 2004

语种: 中文

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