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刘凤艳 (刘凤艳.) | 刘宇星 (刘宇星.) | 刘敏蔷 (刘敏蔷.) | 侯碧辉 (侯碧辉.)

摘要:

由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低.而负村底偏压能够提高金刚石在镜面光滑的Si表面上的成核率,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强.利用负偏压增强CVD系统制备金刚石膜时,气体辉光放电产生的离子对Si表面轰击,使得Si衬底表面产生了微缺陷(凹坑),增大了金刚石膜与Si衬底的结合面积.本工作主要从理论上研究离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响.

关键词:

结合力 金刚石膜 硅衬底

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学应用数理学院

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年份: 2004

语种: 中文

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