摘要：
＜正＞随着半导体技术的快速发展,器件特征尺寸不断缩小,特别是到0.1um尺寸范围时,如果仍采用SiO2作为栅介质材料,此时栅电极与沟道间的直接隧穿会变得非常严重,同时栅介质所承受的电场强度也变大,由此导致栅压对沟道控制能力的减弱和器件功耗的增加,对器件的集成度、稳定性和使用寿命都有很大影响。而利用高介电材料(又称高詹材料)代替传统SiO2作为栅介质可以在保持等氧化层厚度(EOT)不变的条件下,增加介质层的物理厚度,从而可以大大降低直接隧穿效应和栅介质层所承受的电场强度。于是寻找新型高k
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