半导体工业致力于在单位面积/体积上铺满更多的结构以期得到更高密度、更快运算速度的光电子元器件,而高介电系数物质可满足上述目的。Ta2O5系氧化物是重要的高介电系数物质候选材料之一。本研究用电子显微学的方法研究了激光法合成的高介电系数陶瓷Ta2O5-TiO2晶体点阵结构:a=0.391　nm,b=0.384　nm,c=1.863　nm,α-83.8°,β=95.9°,γ=88.5°。这种结构沿[110]方向在(110)面调制,调制周期为:2.48　nm。本研究认为:这种调制结构正是导致Ta2O5-TiO2陶瓷介电系数大幅度提高的原因。