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侯育冬 (侯育冬.) (学者：侯育冬) | 朱满康 (朱满康.) | 高峰 (高峰.) | 汪浩 (汪浩.) | 王波 (王波.) (学者：王波) | 田长生 (田长生.) | 严辉 (严辉.)

摘要：

＜正＞掺锰0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷具有优异的机电性能,适合作为压电变压器和压电马达等功率器件材料使用。然而对于多层压电器件,其制造需要使用内电极结构,为了能够匹配性价比较优的全银内电极浆料(银电极熔点961℃),需要进一步降低掺锰0.2PZN-0.8PZT体系较高的烧结温度(1050℃),因而本研究旨在通过添加CuO这一烧结助剂来实现掺锰0.2PZN-0.8PZT体系的低温烧结目标。CuO作为烧结助剂的使用已有众多的文献报道:Kim等在对掺铜铌酸锌微波陶瓷的研究中发现,少量CuO的添加既可以有效降低体系的烧结温度(1150→900℃),又不恶化微波介电性能,降低烧结温度的

关键词：

烧结助剂 材料性能 PZT 低温烧结 氧化铜

作者机构：

  • [ 1 ] 北京工业大学材料学院量子材料实验室
  • [ 2 ] 西北工业大学材料科学与工程学院

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年份： 2003

语种： 中文

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