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BN薄膜的高温诱导取向生长
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本文利用感应耦合式等离子体化学气相沉积(PECVD)在Si(100)衬底上制备BN薄膜.反应气体为硼烷(B_2H_6)和氮气(N_2),控制一定的分压比和工作气压,射频功率为100W,衬底温度在500℃到1000℃之间变化.主要研究了温度对BN薄膜取向生长的影响.利用傅立叶变换红外谱(FTIR)和原子力显微镜(AFM)对制备样品进行了表征,并对高温诱导BN薄膜取向生长的机理进行了研究.
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来源 ：
年份： 2001
语种： 中文
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