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[会议论文]
偏压对c-BN薄膜生长特性的影响
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用射频溅射的方法通过衬底上加负偏压在硅衬底上成功制备出高立方相含量的氮化硼薄膜,傅立叶变换红外谱的分析表明,沉积薄膜由立方氮化硼、六方氮化硼和三氧化二硼3种成分组成。衬底负偏压对薄膜中各组份的含量有较大影响,随衬底负偏压的升高立方氮化硼的含量增加,六方氮化硼的含量减小。另外,我们首次在不加衬底负偏压的条件下,用射频溅射的方法沉积得到了含立方相的氮化硼薄膜。
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年份： 1998
语种： 中文
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