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[会议论文]
c-BN薄膜在WC上的制备
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运用射频磁控溅射方法研究了不同衬底上立方氮化硼薄膜的生长。红外谱分析表明在硬质合金衬底上沉积立方氮化硼薄膜时,负偏压对立方相含量的影响与单晶硅衬底上的相似,只是最佳偏压值不同。对于硬质合金衬底,其最佳负偏压是在-150V附近。
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来源 ：
年份： 1998
语种： 中文
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