高级检索
检索提示:高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的:如 A或B与C 即:(A或B)与C
[会议论文]
用于热印头的溅射Crsi(w)-N高阻膜WBruckner,J-1 Monch and K-H Bather
作者:
摘要:
<正>采用其空沉积鬲电阻率发热元素,在热印头应用方面已得到发展,它是利用反应溅射Crsi(w)-N的方法。在膜系组织的温度特性和载荷分析研究方面利用温度计及dc与脉冲载荷作升级应力试验,表现出如高电阻,低电阻温度系数(TCR)、高温稳定性和抗氧化性,自钝化性能以及对满足工业要求很有利的材料自稳定作用等综合性能特点。
关键词:
作者机构:
通讯作者信息:
电子邮件地址:
相关关键词:
相关文章:
2016,
1982,北京工业大学学报
2014,电子元件与材料
1998,半导体学报
来源 :
年份: 1994
语种: 中文
被引次数:
WoS核心集被引频次: 0
SCOPUS被引频次:
ESI高被引论文在榜: 0 展开所有
万方被引频次:
中文被引频次:
近30日浏览量: 0
归属院系:
全文获取
外部链接: