Aluminum　nitride　(AlN)　films　were　deposited　on　Si　(100)　substrate　at　room　temperature　in　different　N-2　flow　ratios　(N-2/(N-2　+　Ar))　by　direct　current　(DC)　magnetron　sputtering.　AlN　films　were　prepared　with　the　N2　flow　ratios　from　20　to　50%.　The　intensity　of　X-ray　diffraction　peak　on　(002)　plane　enhanced　with　the　increase　of　N-2　flow　ratio.　When　the　flow　ratio　of　N-2　was　50%,　the　AlN　film　tended　to　be　the　most　preferred　orientation　of　(002)　plane　with　the　value　of　full　width　half　maximum　being　0.34　degrees.　Optical　property　was　studied　by　ellipsometer　and　the　refractive　index　of　the　samples　was　between　1.92　and　2.05.　According　to　the　Fourier　transform　infrared　spectroscopy,　the　density　of　Al-N　bonds　went　up　gradually　and　the　tensile　stress　had　a　rising　trend　with　the　increasing　N-2　flow　ratio.　In　short,　this　work　is　helpful　for　the　growth　of　AlN　buffer　layer　deposited　on　Si　(100)　substrate.